IT之家9月8日消息，消息源@LaidBackDev_于9月6日在X平台发布推文，分享了一张安卓最强2nm芯片高通第六代骁龙8超级至尊版（Snapdragon8EliteExtremeGen6，型号SM8975）的芯片实物图。
根据曝光的图片细节，第六代骁龙8超级至尊版封装面积要大于第五代骁龙8至尊版芯片，并非单纯扩大计算单元，增加的封装面积主要来自新的散热结构。
报道指出，传统PoP（封装堆叠）方案通常将DRAM直接放在SoC上方。这种做法有助于缩小主板占用空间，但内存与处理器热量会集中在同一位置。
而第六代骁龙8超级至尊版将DRAM从SoC顶部移到侧边，并加入散热片，类似于三星在Exynos2600芯片采用的HeatPassBlock（热传导模块）思路。
HPB全称为HeatPathBlock，是三星在Exynos2600芯片中引入的散热技术，通过铜基散热块直接接触应用处理器（AP），利用铜的高导热性迅速传导芯片热量至散热结构，从而降低芯片温度、提升性能稳定性。
科技媒体Wccftech认为通过侧置DRAM单元，并配合散热片，这种方式可以降低内存与SoC之间的热量累积，让CPU和GPU在更长时间内保持较高频率。IT之家附上相关图片如下：
细节方面，芯片照片可见“SM8975”和“101-BC”标识。Wccftech据此判断，该版本预计支持LPDDR5X内存，而不会采用速度更高、能效更优的LPDDR6。
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